焦作设备保温施工队 天岳获取碳化硅晶体取向测试关连利, 拓宽碳化硅晶主参考面取向检测畛域

7月15日讯息，国常识产权局信息示，山东天岳科技股份有限公司苦求项名为“种测试碳化硅晶体主参考面取向的法”的利，授权公告号CN117110337B，授权公告日为2026年7月14日。苦求公布号为CN117110337A，苦求号为CN202311069490.6，苦求公布日历为2026年7月14日，苦求日历为2023年8月23日焦作设备保温施工队，发明东说念主吴殿瑞、彭红宇、刘旭、付健行、李宝盛、李祥皓、杨慧、宋生、梁庆瑞、刘一又，利代理机构北京君慧常识产权代理事务所（世俗合资），利代理师邢伟，分类号G01N23/20、G01N23/207、G01N23/20008。

利纲目示，本苦求公开了种测试碳化硅晶体主参考面取向的法，该法包括：1）收用（11‑28）晶面看成参考面，狡计该晶面的布拉格衍射角θ；2）营救X射线定向系统，收用条法线，使得定向系统辐射的入射线与反射线的交点聚焦在碳化硅晶体顶面的中心点上；入射线与（11‑28）晶面之间的夹角以及反射线与（11‑28）晶面之间的夹角均为θ，入射线与反射线处所的平面与碳化硅晶体的（1‑100）晶面平行，X射线定向系统示信号强度值；3）然后动掸测试台，当X射线定向系统示的信号强度值相对信号强度值大时，测试台动掸的角度为碳化硅晶体主参考面取向的偏离值。该法可适用不同厚度的碳化硅晶体，填补了碳化硅衬底法进行测试的空缺，扩宽了检测畛域。

天岳是国内先的宽禁带半体衬底厂商，铁皮保温施工注于碳化硅衬底研发制造，具备越过的长晶中枢技艺壁垒。公司开发于2010年11月2日，于2022年1月12日在上海证券来回所上市，注册地为山东省济南市，办公地跨山东省济南市与香港十分行政区。

天岳主商业务为碳化硅衬底的研发、坐褥和销售，所属申万行业为电子-半体-半体材料，同期消失价股、TMT、百元股三巧合念板块。

2025年，天岳终了商业收入14.65亿元，在29同业业上市公司中名次10，低于行业平均18.93亿元，于行业中位数10.73亿元，同期行业营收前两位分辩为有研新材95.42亿元、雅克科技86.11亿元；公司营收中碳化硅半体材料孝敬12.25亿元，占比83.62，其他补充业务收入2.4亿元，占比16.38。当期公司净利润为-2.09亿元，行业名次26位，大幅低于行业平均3198.31万元与行业中位数8532.72万元，同期行业净利润前两位分辩为雅克科技10.3亿元、江丰电子4.14亿元。

方针类别

具体方针焦作设备保温施工队

数值/细则

中枢计算数据

2025年商业收入

14.65亿元

中枢计算数据

2025年净利润焦作设备保温施工队

-2.09亿元

业务组成

碳化硅半体材料营收占比

83.62

行业名次

商业收入名次

行业名次

净利润名次

山东天岳科技股份有限公司近期利情况如下：

序号利称呼利类型法律景色苦求号苦求日历公开(公告)号公开(公告)日历发明东说念主1种低杂质含量的氧化镓晶体过火滋长法发明利骨子审查的生、公布CN202610410657.82026-03-31CN122013320A2026-05-12周惠琴、朱灿、党帆、陈鹏磊、刘鹏飞、朱永海、尹国先、樊志鹏2种低应力、平整的P型SiC衬底与调控装配发明利骨子审查的生、公布CN202610414730.92026-03-31CN122147534A2026-06-05党帆、朱灿、陈鹏磊、刘鹏飞、周惠琴、张九阳、热尼亚、朱永海、靳婉琪3种氧化镓晶体同步滋长装配及滋长法发明利骨子审查的生、公布CN202610402210.62026-03-30CN122147528A2026-06-05周惠琴、朱灿、党帆、陈鹏磊、刘鹏飞、朱永海、尹国先、樊志鹏4种平整度碳化硅晶棒过火制备法、制备装配发明利骨子审查的生、公布CN202610004935.X2026-01-05CN121989120A2026-05-08刘硕、宋猛、凯、马立兴、热尼亚、靳婉琪5种适用于硅碳负的球形树脂小球及球形多孔碳过火制备法发明利授权CN202511632233.82025-11-10CN121076115B2026-02-24郭兆靖、梁庆瑞、宋福州、马壮健6种耐压球形多孔碳过火制备法和应用发明利骨子审查的生、公布CN202511382485.X2025-09-25CN121342017A2026-01-16郭兆靖、宋福州、梁庆瑞7种n型碳化硅晶体过火液相滋长法发明利公布CN202510946435.32025-07-09CN120945487A2025-11-14陈鹏磊、党帆、刘鹏飞、朱灿、刘圆圆、8种氧化镓晶体向下滋长的长晶装配及长晶法发明利骨子审查的生、公布CN202510810956.62025-06-17CN120575323A2025-09-02周惠琴、朱灿、党帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、宋生9种顶部籽晶滋长氧化镓单晶的装配及法发明利骨子审查的生、公布CN202510810955.12025-06-17CN120575322A2025-09-02周惠琴、朱灿、党帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、宇晗10种新式布里奇曼法氧化镓单晶滋长用坩埚及滋长法发明利骨子审查的生、公布CN202510810954.72025-06-17CN120591880A2025-09-05周惠琴、朱灿、党帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、赵树春11种低倒角精真金不怕火度的碳化硅衬底及双面激光倒角工艺、双面激光倒角开导发明利骨子审查的生、公布CN202510701883.72025-05-28CN120568822A2025-08-29刘硕、旗、宋猛、热尼亚、凯、靳婉琪、李香林12种低位错、平整度的碳化硅衬底过火制备法发明利骨子审查的生、公布CN202510335295.62025-03-20CN120138807A2025-06-13振行、赵开国、李昊、刘星、石志强、宇晗、杨晓俐、13种低劣势密度碳化硅晶体、衬底及滋长装配、滋长法发明利骨子审查的生、公布CN202510122558.52025-01-26CN119824542A2025-04-15朱灿、党帆、陈鹏磊、刘鹏飞、宗艳民、赵树春、宇晗、宋建、周敏14种低基平面位错P型碳化硅晶体和衬底及滋长开导、滋长法发明利骨子审查的生、公布CN202510124261.22025-01-26CN119824545A2025-04-15朱灿、党帆、陈鹏磊、刘鹏飞、窦文涛、张红岩、周敏、宋建、石志强15小应力晶体和衬底及可控降温速率的晶体滋长装配和晶体滋长法发明利骨子审查的生、公布CN202510124260.82025-01-26CN119824544A2025-04-15朱灿、党帆、陈鹏磊、刘鹏飞、石志强、宋建、周敏16种P型晶体及液相滋长装配和液相滋长法发明利骨子审查的生、公布CN202510124259.52025-01-26CN119824543A2025-04-15朱灿、党帆、陈鹏磊、刘鹏飞、宗艳民、刘一又、周敏、宋建、石志强17种长晶炉测温仪的校准检测装配发明利骨子审查的生、公布CN202510017290.92025-01-06CN119803729A2025-04-11马振华、宋建、阴法波、张健、庞茂鑫、宗耀国18种长晶炉测温仪的校准检测法、开导及介质发明利骨子审查的生、公布CN202510017294.72025-01-06CN119803730A2025-04-11马振华、宋建、阴法波、张健、庞茂鑫、宗耀国19种黑磷碳负过火合成法和合成开导、包括其的电板发明利骨子审查的生、公布CN202510017292.82025-01-06CN119812276A2025-04-11郭兆靖、瑞、宋福州、梁庆瑞20种低电阻P型碳化硅晶体、碳化硅衬底及半体单晶的液相滋长法发明利骨子审查的生、公布CN202411758464.92024-12-03CN119372783A2025-01-28党帆、朱灿、刘鹏飞、陈、周惠琴、彭红宇、张红岩、朱智勇21种半体单晶的液相滋长开导和液相滋长法发明利骨子审查的生、公布CN202411758461.52024-12-03CN119372759A2025-01-28党帆、朱灿、刘鹏飞、陈、周惠琴、陈鹏磊、周煜、刘硕22种提半体晶体质料的液相滋长装配及液相滋长法发明利骨子审查的生、公布CN202411758462.X2024-12-03CN119372760A2025-01-28党帆、朱灿、刘鹏飞、陈、周惠琴、立凤、李印、马立兴23种低位错、低应力的P型碳化硅晶体及碳化硅衬底发明利骨子审查的生、公布CN202411758469.12024-12-03CN119571461A2025-03-07党帆、朱灿、刘鹏飞、陈、周惠琴、周煜、刘硕、立凤、张红岩24种质料P型碳化硅晶体及碳化硅衬底发明利骨子审查的生、公布CN202411758466.82024-12-03CN119615370A2025-03-14党帆、朱灿、刘鹏飞、陈、周惠琴、张红岩、立凤、晓25种行星式旋转切割半体的切割开导和切割法发明利骨子审查的生、公布CN202411665032.32024-11-20CN119388604A2025-02-07张九阳、梁庆瑞、瑞、李印、邵殿、孙诗甫、薛港生26种基平面周折小且光程差小的SiC晶体和SiC衬底发明利骨子审查的生、骨子审查的生、公布CN202411665030.42024-11-20CN119507050A2025-02-25张九阳、、彭红宇、张红岩、永、李祥皓、李香林、李瞳、靳婉琪27种光程差小的半缘型碳化硅晶体及碳化硅衬底发明利骨子审查的生、骨子审查的生、公布CN202411665021.52024-11-20CN119507049A2025-02-25张九阳、、赵树春、李霞、张宁、刘圆圆、孟庆豪、路平、周坤、刘浩28种定位开装的感应炉发明利骨子审查的生、公布CN202411657186.82024-11-19CN119353918A2025-01-24张九阳、徐光明、凯、彭红宇、李帅、孙元行、宋猛29种低内应力的SiC晶体和SiC衬底发明利骨子审查的生、骨子审查的生、公布CN202411657191.92024-11-19CN119507047A2025-02-25张九阳、、杨晓俐、宇晗、舒天宇、帅、宋猛、宗玉30种石墨化碳纤维布发明利骨子审查的生、公布CN202411657187.22024-11-19CN119528488A2025-02-28张九阳、宁秀秀、帅、宗玉、路平、宇晗、杨晓俐、徐光明31种面内光程差小且均匀的SiC晶体及SiC衬底发明利骨子审查的生、公布CN202411657189.12024-11-19CN119553368A2025-03-04张九阳、、张红岩、宁秀秀、舒天宇、赵树春、李霞、路平、潘亚妮32种多炉台极端气体详细诓骗开导实用新式授权CN202422696300.X2024-11-05CN223319575U2025-09-09李文强、张健、宋建、阴法波、周敏33种测温装配实用新式授权CN202422678993.X2024-11-04CN223691884U2025-12-19张健、张会安、勃、卫照洋、宋建、周敏、赵树春、痛快、张长银、滕永懂34种曲率半径大且漫衍均匀的4H碳化硅晶棒及制备法和应用发明利授权、骨子审查的生、公布CN202411546268.52024-11-01CN119061481B2025-03-14宋猛、振行、、凯、薛成业、苗泽、许长波35种大尺寸、低电阻4H碳化硅晶棒、低电阻4H碳化硅晶片及制备法发明利授权、公布CN202411546269.X2024-11-01CN119041030B2025-04-18宋猛、杨晓俐、张九阳、许长波、徐光明、凯、36种温真空炉旋转主轴的电信号传递结构发明利骨子审查的生、公布CN202411483925.62024-10-23CN119321804A2025-01-17张健、宋建、马振华、程望、窦文涛、周敏、赵树春、痛快37种n型碳化硅单晶晶体、n型碳化硅衬底及半体器件发明利骨子审查的生、公布CN202411417854.X2024-10-11CN119287518A2025-01-10宇晗、、帅、路平、宗玉、石志强、杨晓俐、宁秀秀38种碳化硅晶体轮回坐褥历程中罢休物料自动铲凿装配及法发明利骨子审查的生、公布CN202411335517.62024-09-24CN119077989A2024-12-06宋建、张健、李文强、庞茂鑫、陈栋、赵树春、周敏、薛传艺、窦文涛、痛快39种破绽扳手实用新式授权CN202422144280.52024-09-02CN223466222U2025-10-24张会安、张健、宋建、周敏、痛快、薛传艺、张长银、赵开国、滕永懂40种3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜的标法过火应用发明利骨子审查的生、公布CN202411193279.X2024-08-28CN118848262A2024-10-29宋猛、俆光明、党帆、凯、旗、刘硕、李祥皓、41种确定3C-SiC晶体晶向的法及种确定3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜标向的法发明利骨子审查的生、公布CN202411193290.62024-08-28CN119104579A2024-12-10宋猛、党帆、凯、旗、俆光明、杨晓俐、刘硕、舒天宇、42种缩短碳化硅单晶制备老本的液相滋长用坩埚及液相制备法发明利公布CN202410997446.X2024-07-24CN118910714A2024-11-08党帆、朱灿、刘鹏飞、陈鹏磊、宋建、周敏、赵树春、赵开国43种新式碳化硅晶体滋长坩埚实用新式授权CN202421404249.42024-06-19CN222809590U2025-04-29赵光利、史建伟、许登基、杨振鲁、袁祯祥44种齿圈衬套内衬换工装及换开导实用新式授权CN202421153738.72024-05-24CN222289820U2025-01-03杨洋、刘乐乐、郑柯、宋健、周敏、赵树春、窦文涛、雅儒、痛快、薛传艺、张长银、赵开国、滕永懂45种用于长晶炉感应线圈的升降装配过火安装法发明利骨子审查的生、公布CN202410640686.42024-05-22CN118497899A2024-08-16朱智勇、宁秀秀、张维刚、张长银、振宇46种用于长晶炉感应线圈的升降装配实用新式授权、公布CN202421130329.52024-05-22CN222274793U2024-12-31朱智勇、宁秀秀、张维刚、张长银、振宇47种品性碳化硅衬底过火制备法和半体器件发明利授权、公布CN202410586417.42024-05-13CN118147740B2024-08-13、宇晗、杨晓俐、石志强、彭红宇、潘亚妮、帅48种品性碳化硅衬底过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