ASML 的新代光刻机 EXE:5200B 重 150 多吨，体积过 200 立米长春不锈钢保温，分歧率 8 纳米，省略 40 个硅原子的宽度。2026 年 5 月，ASML CEO Christophe Fouquet 文告，用这台机器制造的批芯片将在异日几个月内问世。单台售价 4 亿好意思元。

但在确凿同期期，它大的客户 TSMC 作念出了个让行业避让的决定：至少到 2029 年，不吸收这种被称为数值孔径紫外光刻（high-NA EUV）的新时候。TSMC 总裁 Kevin Zhang 在 2026 年 4 月的北好意思时候论坛上表态，从 2nm 到 A14 工艺节点，TSMC 王人不需要 high-NA EUV，同期不错赓续保持近似的工艺复杂度。

这是 ASML 历史前次出新代机器时，蹙迫的客户明确说“不急”。芯片行业酌量机构 SemiAnalysis 的分析师 Jeff Koch 评价：这可能是 ASML 历史上台法坐窝在生意逻辑上自证其价值的器用。

联的工程艰苦

这 4 亿好意思元的订价到底从何而来？近，《麻省理工科技评论》（MIT Technology Review）对 ASML 荷兰总部作念了度看望，记者近距离不雅察了这台机器的制造过程，并采访了多位中枢工程管。从这些信息中不错发现，high-NA 的时候难度和资本结构照旧与上代 EUV 有了现实上的区别。

咱们先从光刻本人的基本道理提及，浅近而言，光刻是用光映照掩模版（reticle）上的电路图案，通过光学系统把图案减弱后投射到硅晶圆上。能作念出多小的线条，取决于两个变量：光的波长越短，分歧率越；数值孔径（NA）越大，聚焦越清雅。芯片工业的进化史，等于在这两个变量之间反复切换的历史。上世纪 90 年代从可见光切换到紫外光（DUV），2017 年从 DUV 切换到紫外光（EUV），每次波前途步王人是十年以上的研发周期。

而此次升，ASML 并莫得换光源。EUV 的 13.5 纳米波长不变，更变的是二个变量：把数值孔径从 0.33 擢升到 0.55，擢升幅渡过 60。表面上，这足以将晶体管尺寸减弱近半，密度提近两倍。但从 0.33 到 0.55，触发了连串联的工程问题。

的数值孔径意味着光泽以陡的角度抵达掩模版。掩模版上的电路图案是三维结构，笔陡的光泽会在图案边际产生阴影，就像午后的阳光在峡谷里投下的阴影，这会平直影响图案的了了度。

ASML 的工程师给出的措置案是再行遐想掩模版和光学系统。新的掩模河山案变成了宽比 1:2 的非对称形势，在个维度上被拉长了倍。但这个更变带来了新的问题：光学系统的诊疗致单次扫描曝光的晶圆面积减半，机器的产出速率平直了扣头。

对 ASML 来说，速率下落是确凿法接受的。客户为台 4 亿好意思元的机器付费，盼望的是每小时 200 片晶圆以上的产能。既然曝光面积小了，就必须让掩模版挪动得快。工程师们再行遐想了所有掩模版机构，把它作念得轻，终完了了 22 倍重力加快度（22g）的畅通速率，远上代。ASML 的 CTO Marco Pieters 开打趣说，不要试图坐上去，因为你会平直昏曩昔。

与此同期，在德国耶拿，蔡司（Zeiss）的工程师在制造与数值孔径匹配的新式反射镜。新镜片的面积省略是上代的两倍，所有投射光学系统的分量从 1.7 吨扩张到 12 吨，翻了七倍。蔡司为此建造了全新的机器东谈主赞助产线。他们说这是公司历史上制造过的光滑的名义。

另外，光源也在同步升。上代 EUV 机器通过激光轰击锡液滴来产生紫外光，每个锡滴被击中两次，新机器改成了三次。这意味着锡液滴的辐照系统需要加快 50，激光功率也需要大幅擢升。ASML 圣迭戈实验室的工程总监 Alex Schafgans 称，激光系统直在变大。当今，台机器配套的激光开荒照旧不错填满所有房间。

EXE:5200B 在 2025 年四季度次托福客户，调解 2025 年发布的 1,000W 光源，产能从早期型号 EXE:5000 的 110 片/小时擢升到了 175 片/小时。但距离 ASML 答允的 200 片/小时仍有差距。

这整条工程链的每个设施王人是重干涉、重考证的过程。从 0.33 到 0.55，不是次创新的进步，而是在已有旅途上的强度进。Koch 在 ASML 责任过多年，他的判断是：这台机器的智商擢升省略在 30 到 50 之间，是次进化而非创新。

买照旧不买长春不锈钢保温

正因为此次升是进化而非创新，台积电算了笔账：要是用现存的 low-NA EUV 机器加上多重曝光（multi-patterning）时候，再调解封装和后面供电等工艺创新，依然不错进到 1.2nm 别的工艺节点，那为什么要花 4 亿好意思元换台新机器？

SemiAnalysis 的分析觉得，台积电可能要到 2029 年至 2030 年的 1nm 工艺节点 A10 才会信得过需要 high-NA，因为在那之前，low-NA EUV 的双重曝光在资本上可能仍然低于 high-NA 的单次曝光。并且 high-NA 机器的体积巨大于上代，装配它意味着对晶圆厂的建筑结构作念大幅更正。

比拟之下，英特尔的遴荐天悬地隔。2024 年春天，300 名 ASML 工程师抵达俄勒冈州英特尔的晶圆厂，启动拼装和测试人人台量产型 high-NA 机器。英特尔的光刻案总监 Mark Phillips 不肯泄露具体能数据，但示意对开荒健康景况的快速感到雅瞻念。

英特尔押注 high-NA 的逻辑也很浅近：它在代工域照旧逾期于 TSMC 和三星，需要张各别化的来争夺客户。要是 high-NA 能让英特尔比竞争敌手快地完了单次曝光，就值得为此冒险。

三星则处于 TSMC 和 Intel 之间的位置。有报谈称三星正在计议购买新的 high-NA EUV 机器，试图在 2nm 工艺的竞争中减弱与英特尔的差距。

ASML 我方似乎并不心焦。即便台积电迟了 high-NA 的吸收，铝皮保温ASML 的 low-NA EUV 机器依然供不应求。ASML 的 CFO Roger Dassen 示意，公司 2026 年的方针是出货至少 60 台 low-NA EUV 系统，2027 年筹划扩大到约 80 台。

以 ASML 每年频繁只可分娩 40 到 50 台 EUV 系统的产能来看，这照旧是满负荷运转。2026 年季度，ASML 的 EUV 系统净销售额过 41 亿欧元，其中包含两台 high-NA 开荒的收入。公司将 2026 年全年营收不异上调至 360 亿至 400 亿欧元。

不外，ASML 还有个花若干钱王人买不到 high-NA 的客户：。自 2019 年起，在好意思国施压下，荷兰政府辞谢 ASML 向出售任何 EUV 光刻机。到 2024 年，赶走进步扩展到型号的 DUV 浸没式系统。即便如斯，在 2025 年仍是 ASML 大的单市集，占销售额的 33，买的全是不受限的中低端 DUV 开荒。ASML 预测这比例在 2026 年将降至 20。

买不到 EUV，的现实策略是把手里的 DUV 到限。通过多重曝光，现存 DUV 开荒表面上不错制造 7nm 以致的芯片，仅仅速率慢、资本。与此同期，也在干涉多半资源自研 EUV 时候，但 ASML 从 EUV 原型到台量产机用了十几年，其中蔡司供应的精密光学系统于今莫得二个供应商能替代。

ASML CEO Christophe Fouquet 在 2025 年 4 月曾示意，要开发出可行的 EUV 替代时候还需要“好多好多年”。Koch 判断称：会很乐意领有台每小时只可处理片晶圆、运行资本的 EUV 机器，然后建千台这么的机器，也心雅瞻念足。

以外，试图绕开 ASML 的还有另批东谈主。

Substrate 是总部位于旧金山的初创公司，建设四年。它无须 EUV 光，而是用粒子加快器产生的 X 射线来作念光刻，波长不错低至 0.01 纳米，远短于 EUV 的 13.5 纳米。

2025 年 10 月，Substrate 完成了 1 亿好意思元融资，估值达到 10 亿好意思元，投资包括 Peter Thiel 的 Founders Fund、General Catalyst，以及好意思国中情局下属的风险投资机构 In-Q-Tel。公司照旧用原型机在 300mm 晶圆上制造出了 12 纳米关节尺寸的图案，并宣称这精度面前只消 ASML 的 high-NA 机器才气完了。

Substrate 的独创东谈主 James Proud 不算把机器给台积电或英特尔。他的筹划是自建晶圆厂，用我方的光刻开荒来提供代工处事，方针是把单片制程晶圆的资本从行业预估的 10 万好意思元降到 1 万好意思元。他说，刻下 AI 对芯片的需求终会比当今斗胆的预测还要出好几个数目。

业内东谈主士们对 Substrate 这条门道的评价指摘不。Koch 觉得它的时候向“很酷”，也“成心旨道理”，但从实验室演示到量产之间的路还很长。《Focus: The ASML Way》书的作家 Marc Hijink 则为严慎，他觉得同期掌持种全新光刻时候和产能晶圆厂运营确凿是不能能的，而 Substrate 对自身时候细节的守秘让他不安。“这个行业靠的是绽开式创新，”他说。

另个挑战者来自远的地。挪威初创公司 Lace Lithography 在 2026 年 3 月完成了 4,000 万好意思元 A 轮融资，由 Atomico 投，微软旗下的 M12 基金参投。Lace 的法绕开了光：它用引发态的氦原子束来替代光子作念图案转机。氦原子束的宽度约 0.1 纳米，比 EUV 的 13.5 纳米波长清雅了 135 倍，并且原子莫得光子的衍射限，表面上不错完了原子分歧率。

Lace 的 CEO Bodil Holst 是位在卑尔根大学从事纳米物理酌量过二十年的物理学，她同期照旧 Kavli 纳米科学委员会的主席。纠合独创东谈主 Adrià Salvador Palau 此前是她的博士生，攻物理学和机器学习。

Holst 说，她从 2008 年就启动酌量原子束光刻。那时 MIT 解说 Henry“Hank”Smith 告诉她应该去探索用原子作念芯片，因为那时他并不细目 ASML 的 EUV 门道能收效。“就算 EUV 成了，咱们终也需要原子，”Smith 对她说。

ASML 对这些新出现的竞争敌手也照旧有所宽恕，其时候推行总裁 Jos Benschop 评价称，我法式评估 Substrate 的时候是否可靠，因为这公司从未解释过我方的工艺经由。但他去看了 Lace 在 SPIE 光刻大会上的申诉，对他们的时候门道印象刻，仅仅怀疑这种法能否在晶圆上酿成弥散度的图案。“到面前为止，我还莫得看到个可行的替代案，”他说。

光刻行业的范式颐养向来王人是比较慢的。从紫外到紫外，ASML 用了 16 年和省略 100 亿好意思元的研发干涉。塔夫茨大学历史学解说、《芯片搏斗》书的作家 Chris Miller 说，光刻时候的代际替历史上动辄以十年计。

ASML 如今照旧在为下步作念准备。Benschop 觉得 high-NA 时候将主 2030 年代的芯片制造。在那之后呢？工程团队照旧在遐想将数值孔径从 0.55 进步擢升到 0.75 的案，里面称之为“hyper NA”，表面分歧率不错达到 6 纳米。

要是胜利，hyper NA 可能在七到八年后向市集。他们同期还在计议将不同别的 EUV 光学系统范例化到同尺寸的机身中，让客户不错订购台机器，然后凭证需要成就庸俗 EUV、high NA 或 hyper NA 的光学模块。

芯片行业只会在种情况下切换范式：当现存旅途连多蔓延点点王人作念不到的时代。4 亿好意思元台、大客户明确迟采购，也许还不是阿谁临界点。但它至少阐扬，“作念得小”的代价正在变得越来越大，而围绕这个代价的不对，正在从工程问题变成政策问题。

参考贵寓：

1.https://www.technologyreview.com/2026/06/23/1138837/asml-400-million-dollar-machine-powering-future-of-chipmaking/

运营/排版：何晨龙

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